Abstract
stract:
The study surveys the ability of applying the dispersion relation of diatomic lattice
provided by Awad, using the Nonequilibrium distribution function, to calculate the lattice
thermal conductivity and correction term 'K for (GaN) compound at temperature range
between (5-400K).
The study approaches to a good agreement with the experimental values of the lattice
thermal conductivity, especially in the maximum point of the conductivity curve. Also
the present work shows very small values for the correction term and its percentage
contribution, which could be neglected at wide range of temperature.
We studied the effect of the Awad's temperature exponent m(T) on the lattice thermal
conductivity and the correction term. The results showed the possibility of this function
to deal with the high temperature lattice thermal conductivity of GaN.
The paper studies the impact of the change in the relaxation rates of phonon scattering
by the boundaries, point defects, three phonon and four phonon on the lattice thermal
conductivity for both transverse and longitudinal phonons, where a significant impact on
the conductivity curves, and difference in effectual values have been noted. The study
appoints the temperature range of the activity of the phonon scattering .
The study surveys the ability of applying the dispersion relation of diatomic lattice
provided by Awad, using the Nonequilibrium distribution function, to calculate the lattice
thermal conductivity and correction term 'K for (GaN) compound at temperature range
between (5-400K).
The study approaches to a good agreement with the experimental values of the lattice
thermal conductivity, especially in the maximum point of the conductivity curve. Also
the present work shows very small values for the correction term and its percentage
contribution, which could be neglected at wide range of temperature.
We studied the effect of the Awad's temperature exponent m(T) on the lattice thermal
conductivity and the correction term. The results showed the possibility of this function
to deal with the high temperature lattice thermal conductivity of GaN.
The paper studies the impact of the change in the relaxation rates of phonon scattering
by the boundaries, point defects, three phonon and four phonon on the lattice thermal
conductivity for both transverse and longitudinal phonons, where a significant impact on
the conductivity curves, and difference in effectual values have been noted. The study
appoints the temperature range of the activity of the phonon scattering .
Keywords
Correction term
Phonon scattering relaxation rate.
Thermal conductivity
Abstract
استعرضت الدراسة إمكانية تطبيق علاقة التفريق للشبيكة ثنائية الذرة المقدمة من قبل (Awad ) بأستخدام دالة التوزيع غير المتزن في حساب التوصيل الحراري الشبيكي (K ) وحد التصحيح DK) ) لمركب نتريد الكاليوم (Gallium Nitride) (GaN)ضمن مدى درجات الحرارة (5-400) درجة مطلقة. توصلت الدراسة الى تطابق جيد مع القيم العملية للتوصيل الحراري الشبيكي ولاسيما عند قمة منحني التوصيلية ، وكذلك الى قيم صغيرة جداً لحد التصحيح وإسهامه المئوي بحيث يمكن اهماله عند مدى درجات حرارة الدراسة. تمت دراسة تأثير دالة Awad للأس الحراري m(T) على التوصيل الحراري وحد التصحيح ، اذ أظهرت النتائج قدرة هذه الدالة على معالجة التوصيل الحراري الشبيكي عند درجات الحرارة العالية. إهتم البحث بدراسة تأثير التغير في معدلات إسترخاء التشتت الفونوني بالحدود البلورية والعيوب النقطية والتشتت الفونوني الثلاثي والرباعي على التوصيل الحراري الشبيكي ولكلا الفونونات المستعرضة والطولية ، اذ لوحظ ان التشتتات الفونونية تؤثر بشكل واضح على منحنيات التوصيلية ، وتختلف بالقيم المؤثرة . كما عينت الدراسة مدى درجات الحرارة لفعالية التشتتات الفونونية المؤثرة .
Keywords
التوصيل الحراري ، حد التصحيح ، معدل إسترخاء التشتت الفونوني