Abstract
In this paper, we investigate the indirect interaction effect between each quantum dots and
other lead, on the electron tunneling properties through created system a serially coupled double
asymmetric quantum dots, embedded between two nonmagnetic leads (source and drain). In this
treatment, the time independent Anderson-Newns Hamiltonian model is considered as a basis to
study the system dynamics and then to derive spin-dependent analytical formula to calculate the
tunneling current considering the strong coupling regime, the differential conductance is calculated
numerically and discussed in detail. These results review for the current and conductance as a
function of bias voltage, for different values of indirect interaction and many values of the exchange
interaction between the double quantum dots. And we concluded that when additional values of the
positive indirect interaction energy for bias voltage it led to increased distance bias voltage and less
the differential conductance, but when additional values of negative indirect interaction energy for
bias voltage it led to decrease distance bias voltage and increases the differential conductance
other lead, on the electron tunneling properties through created system a serially coupled double
asymmetric quantum dots, embedded between two nonmagnetic leads (source and drain). In this
treatment, the time independent Anderson-Newns Hamiltonian model is considered as a basis to
study the system dynamics and then to derive spin-dependent analytical formula to calculate the
tunneling current considering the strong coupling regime, the differential conductance is calculated
numerically and discussed in detail. These results review for the current and conductance as a
function of bias voltage, for different values of indirect interaction and many values of the exchange
interaction between the double quantum dots. And we concluded that when additional values of the
positive indirect interaction energy for bias voltage it led to increased distance bias voltage and less
the differential conductance, but when additional values of negative indirect interaction energy for
bias voltage it led to decrease distance bias voltage and increases the differential conductance
Keywords
Coupled Double Quantum Dots; Electron transport; indirect interaction
Abstract
في هذا البحث قدمنا معالجة نظرية لفحص تأثير التفاعل غير المباشر بين كل نقطة كمية والقطب البعيد عنها على
خصائص نقل الالكترون خلال نظام مكون من نقطتين كميتين غير متناظرتين مقترنتين بهيئة سلسلة، موضوعة بين
قطبين معدنيين غير مغناطيسيين (واهب ومستقبل). في هذه المعالجة اعتمدنا هاملتونين أندرسون- نيونز كأساس
لدراسة ديناميكية النظام ومن ثم اشتقاق صيغة تحليلية لحساب تيار النفق والتوصيلية التفاضلية عددي ً ا ونوقشت
تفصيلي ً ا. حيث تم استعراض النتائج الخاصة بالتيار والتوصيلية كدالة لفولتية الانحياز ولقيم مختلفة من قيم التفاعل
غير المباشر وأيض ً ا لعدة قيم لتفاعل تبادل البرم بين النقطتين الكميتين. واستنتجنا أنه عند اضافة قيم طاقة التفاعل غير
المباشر الموجبة الى فولتية الانحياز فأن ذلك يؤدي الى زيادة فاصلة فولتية الانحياز وتقل التوصيلية التفاضلية، اما عند
اضافة قيم طاقة التفاعل غير المباشر السالبة الى فولتية الانحياز فأن ذلك يؤدي الى نقصان فاصلة فولتية الانحياز وتزداد
التوصيلية التفاضلية.
خصائص نقل الالكترون خلال نظام مكون من نقطتين كميتين غير متناظرتين مقترنتين بهيئة سلسلة، موضوعة بين
قطبين معدنيين غير مغناطيسيين (واهب ومستقبل). في هذه المعالجة اعتمدنا هاملتونين أندرسون- نيونز كأساس
لدراسة ديناميكية النظام ومن ثم اشتقاق صيغة تحليلية لحساب تيار النفق والتوصيلية التفاضلية عددي ً ا ونوقشت
تفصيلي ً ا. حيث تم استعراض النتائج الخاصة بالتيار والتوصيلية كدالة لفولتية الانحياز ولقيم مختلفة من قيم التفاعل
غير المباشر وأيض ً ا لعدة قيم لتفاعل تبادل البرم بين النقطتين الكميتين. واستنتجنا أنه عند اضافة قيم طاقة التفاعل غير
المباشر الموجبة الى فولتية الانحياز فأن ذلك يؤدي الى زيادة فاصلة فولتية الانحياز وتقل التوصيلية التفاضلية، اما عند
اضافة قيم طاقة التفاعل غير المباشر السالبة الى فولتية الانحياز فأن ذلك يؤدي الى نقصان فاصلة فولتية الانحياز وتزداد
التوصيلية التفاضلية.
Keywords
النقطتين الكميتين المقترنتين، نقل الالكترون، التفاعل غير المباشر