Abstract
In this paper, an experimented study is presented which determines the memory
switching criterion for CdS/SiO/CdTe devices. The dc. characteristics obtained from
isolated devices on various glass substrates, but having the identical CdS and CdTe
semiconductors with different sandwiched SiO thicknesses reveal that the device
impedance at OFF state is almost determined by the tunnel oxide thickness. But the
forward and reverse threshold voltages are determined by the top contact area of the
device. Physical arguments are presented which adequately explain the experimental
results in this paper.
switching criterion for CdS/SiO/CdTe devices. The dc. characteristics obtained from
isolated devices on various glass substrates, but having the identical CdS and CdTe
semiconductors with different sandwiched SiO thicknesses reveal that the device
impedance at OFF state is almost determined by the tunnel oxide thickness. But the
forward and reverse threshold voltages are determined by the top contact area of the
device. Physical arguments are presented which adequately explain the experimental
results in this paper.
Keywords
semiconductor devices and materials
switching
Abstract
في هذا البحث كانت هنالك دراسة عملية لتراكيب من CdS/SiO/CdTe و التي أظهرت خواص المفتاحية الذاكرية. لقد تم الحصول على خواص مستقرة لنماذج مصنعة على قواعد زجاجية مختلفة فيها طبقات من CdS و CdTe متماثلة ولكن فيها طبقات نفقية من SiO لها أسماك مختلفة. لقد بينت الدراسة بأن الممانعة في حالة (OFF) للنبيطه تعتمد بشكل كبير على سمك الطبقة النفقية للأوكسيد, بينما مقدار فولتية العتبة الأمامية و العكسية يعتمد بشكل أساسي على مساحة طبقة التماس الفوقية. ان التغيرات الفيزيائية تبين بشكل واضح النتائج العملية في هذا البحث.